专利类型：发明专利

 

法律状态：未下证

 

申请日：2016-12-20

 

摘要：本发明涉及一种用于多层全息天线的GaAs基横向等离子pin二极管的制备方法，多层全息天线包括：半导体基片GeOI、天线模块、第一全息圆环及第二全息圆环；其中，天线模块、第一全息圆环及第二全息圆环均包括依次串接的GaAs基等离子pin二极管；GaAs基等离子pin二极管制备方法包括：选取某一晶向的GeOI衬底，在衬底表面利用MOCVD淀积GaAs层并形成隔离区；刻蚀衬底形成P型沟槽和N型沟槽并形成第一P型有源区和第一N型有源区；填充P型沟槽和N型沟槽，在衬底上形成引线，以完成GaAs基等离子pin二极管的制备；本发明实施例利用深槽隔离技术及离子注入工艺能够制备并提供适用于多层可重构全息天线的高性能GaAs基等离子pin二极管。