专利类型：发明专利

 

申请日：2021-01-07

 

摘要：本发明公开了一种阵列交织型摩擦纳米发电机及其制备方法，本发明一种将p型半导体CuO纳米阵列与n型半导体ZnO纳米阵列直接相互叠加组成的纳米摩擦发电装置及其制备方法。当使用CuO纳米阵列与平面ZnO薄膜组成纳米摩擦发电装置，装置的电流密度<I>J</I><Sub><I>sc</I></Sub>为0.23 uA/cm<Sup>2</Sup>；当使用平面CuO薄膜与ZnO纳米阵列组成纳米摩擦发电装置，装置的电流密度<I>J</I><Sub><I>sc</I></Sub>为0.48 uA/cm<Sup>2</Sup>；与上述两种装置相比，当使用CuO纳米阵列与ZnO纳米阵列组成纳米摩擦发电装置装置的电流密度<I>J</I><Sub><I>sc</I></Sub>高达8 uA/cm<Sup>2</Sup>。可见，将p型半导体CuO纳米阵列与n型半导体ZnO纳米阵列直接相互叠加，极大的提高了CuO与ZnO的界面面积，使得CuO与ZnO的摩擦更加充分，产生的电子空穴浓度更丰富。